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第76章 就你了! !(2 / 2)

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然后他将目光锁定到5n级别这次是8厘米。淦,放弃放弃!

然后是7n

14n

全部看完,罗离彻底无奈了。

以他目前的系统积分,居然只能买得起130n级别的光刻机!还特么是duv光源!!

duv光刻机和euv光刻机能比?

寒碜谁呢?

duv光刻机大多采用的是波长为193n级别的氟化氩准分子激光,或者波长为248n的氟化氪准分子激光,单次曝光的极限制程在128n到90n之间,多次曝光虽然可以将精度提升至最高28

n,但却是以牺牲良品率为代价!

几乎每重复一次曝光,损坏的几率就增加一倍靠duv光刻机想要造出28n制程芯片,至少需要曝光5次以上!

先不说你连续曝光五次最终能成功几个,就算成功了,28n也远远解决不了钉子现在的危机。

更别提暴增的材料成本了。

光刻工艺的核心资源是一种叫做光刻胶的化学合成剂,这东西在国内也无法制造。

在层层垄断下,光刻胶的进口量就那么多,其他厂商会允许你这么浪费?

在目前,duv光刻机受限于精度制程,已经无法满足后来14nc7nc5n等更高制程的需求了,这时候就需要依靠euv光刻机。

euv光刻机采用的是一种135n的极紫外光,可以在大约200平方毫米的面积下集成超过105亿颗晶体管。

用euv光刻机制造7n级芯片,只需要曝光一次。

在现阶段,

国产芯片仅能满足日常生产生活的基础要求,高端光刻机无法进入国内,高级芯片生产的困难还是很严峻。

钉子如果想真正解决芯片的问题,第一件需要解决的就是光刻机精度。

“既然不能制造光刻机,那能不能对现有的光刻机制程进行改进?”

罗离忽然有了一个大胆的想法。

众所周知,光刻机的曝光分辨率与波长直接相关,随着科技的进步,极限光源的波长也在不断缩小,从duv光源的248n级数不断突破,一直来到现在的135n极紫光束,进步不可谓不大。

这也是现在芯片技术能突破个位数的根本原因。

既然无法从其他资本手中买到高级光刻机,也无法凭空从系统中兑换,那有没有可能通过系统的黑科技技术,将国内现有的光刻机工艺水平提升到世界水平

思绪至此,罗离的心跳开始加快。

对啊,

改装升级的成本可比从无到有低多了,而且现在国内的芯片工艺也不算太拉胯,要是

罗离没有丝毫犹豫,马上打开系统兑换窗口,然后在搜索框中输入文字。

再度摒弃一系列花里胡哨的科幻风选项,罗离一口气直接将列表拖拽到最底下。

一行不起眼的小字出现在眼前。

【“稳态微距束”技术:20万积分;】

光速浏览完介绍,罗离瞪大了眼睛。

就你了!

咬咬牙,直接选择兑换!!

“唰!”

强光一闪而过。

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